intel 3d xpoint闪存终于揭秘了：20nm制程工艺

intel、美光发布3d xpoint闪存已经一年多了，号称性能、靠谱性是nAnd闪存的1000倍，容量密度是后者10倍，各种黑科技秒杀当前的闪存水平。从去年底开始有少量基于3d xpoint闪存的optane硬盘问世，消费级容量是16/32GB，强化级有个375GB的dC p4800x系列，随机性能确实很强大。

不过intel迄今为止都没有公布过3d xpoint闪存的技术内幕，好在现在可以确定一点了，那便是375GB的dC p4800x硬盘使用的是20nm工艺。

intel当年发布3d xpoint闪存之后并没有透露该技术的细节，只说它是不同于nAnd闪存的新型存储技术，性能、靠谱性及密度详细领先当前nAnd产品。intel不公开技术内幕大概是为了保密，业界早前也在猜测3d xppint闪存有可能是基于pCM相变技术的，也有说是ReRAM技术的，只是这些都无法证实。

现在Computerbase网站论坛有人爆料了dC p4800x硬盘的pCn通知书，里面提到了它是基于20nm工艺的，只是intel以往的pCn通知都是公开的，但这次需要授权用户登录才能看到，所以普通人也无法查阅全部细节了。

intel使用20nm工艺制造3d xpoint闪存也不算意外，虽然在进入3d闪存之后厂商就很少公布全部的制程工艺了，大多时候只公布堆栈层数，不过大部分3d闪存使用的制程工艺都不会很先进，苹果早期的V-nAnd闪存使用的还是40nm工艺，几年前的制程工艺了，听上去落后，但实际上是好事，因为提升密度可以靠对堆栈层数，更“落后”的工艺往往有更好的靠谱性。